0.6-1.6 <Ω·cm>
Resistividade
≤12 <ppma>
Teor de oxigênio
≤1 <ppma>
Teor de carbono
≥800 <µs>
Tempo de vida do portador minoritário
Propriedades do material
Item
Especifica??es
Método de teste
Método de crescimento
Método Czochralski
--
Cristalinidade
Monocristalino
--
Tipo de condutividade
Tipo N
Testador PN
Tamanho
M10：182.2*182.2*φ247mm
G12：210*210*φ295mm
G12-R：182.3*210*φ272mm
Separador de wafer de silício
Espessura
M10：90-160μm
G12：90-160μm
G12-R：90-160μm
Separador de wafer de silício
| Item | Especifica??es | Método de teste |
|---|---|---|
| Método de crescimento | Método Czochralski | -- |
| Cristalinidade | Monocristalino | -- |
| Tipo de condutividade | Tipo N | Testador PN |
| Tamanho | M10：182.2*182.2*φ247mm G12：210*210*φ295mm G12-R：182.3*210*φ272mm |
Separador de wafer de silício |
| Espessura | M10：90-160μm G12：90-160μm G12-R：90-160μm |
Separador de wafer de silício |
Propriedades elétricas
Item
Especifica??es
Método de teste
Resistividade
0.6-1.6<Ω·cm>
Separador de wafer de silício
Tempo de vida do portador minoritário
≥800<µs>
Tempo de vida da portadora minoritária do testador BCT-400
Teor de oxigênio
≤12<ppma>
Espectrómetro de infravermelhos com transformada de Fourier FTIR (ASTM F121-83)
Teor de carbono
≤1<ppma>
Espectrómetro de infravermelhos com transformada de Fourier FTIR (ASTM F123-91)
| Item | Especifica??es | Método de teste |
|---|---|---|
| Resistividade | 0.6-1.6<Ω·cm> | Separador de wafer de silício |
| Tempo de vida do portador minoritário | ≥800<μs> | Tempo de vida da portadora minoritária do testador BCT-400 |
| Teor de oxigênio | ≤12 |
Espectrómetro de infravermelhos com transformada de Fourier FTIR (ASTM F121-83) |
| Teor de carbono | ≤1 |
Espectrómetro de infravermelhos com transformada de Fourier FTIR (ASTM F123-91) |
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