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P型 単結(jié)晶シリコンウェハー

0.4-1.1 <Ω·cm>

抵抗率

≤16 <ppma>

酸素含有量

≤1 <ppma>

炭素含有量

≥70 <µs>

少數(shù)キャリア壽命

プロジェクト 仕様 検出方法
結(jié)晶育成方法 CZ(チョクラルスキー)法 --
結(jié)晶性 単結(jié)晶 --
導(dǎo)電タイプ P型 PN測(cè)定機(jī)
寸法 M10:182.2×182.2 φ247 mm
G12:210×210 φ295 mm
シリコンウェハー選別機(jī)
厚さ M10:90-160 μm
G12:90-160 μm
シリコンウェハー選別機(jī)

電気特性

プロジェクト 仕様 検出方法
抵抗率 0.4-1.1 <Ω·cm> シリコンウェハー選別機(jī)
少數(shù)キャリア壽命 ≥70<μs> 少數(shù)キャリア壽命測(cè)定機(jī)BCT-400
酸素含有量 ≤16 FTIR(フーリエ変換赤外分光分析裝置)
ASTM F121-83準(zhǔn)拠
炭素含有量 ≤1 傅里葉變換紅外光譜儀 FTIR(フーリエ変換赤外分光分析裝置)
ASTM F121-83準(zhǔn)拠

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